LE TANSISTOR

Effet transistor :

IE = Courant d'émetteur
IC = Courant de collecteur
IB = Courant de base
IE = IC + IB

Le courant collecteur n'existe que si un courant base-émetteur circule.Physiquement : Sans entrer, en détail, dans la constitition d'une jonction ; disons que la jonction base-émetteur polarisée en direct autorise le passage du courant de base (sens conventionnel) .En conséqence, des électrons sont injectés de l'émetteur vers la bases.
La base est mince et faiblement dopée, ce qui autorise très peu de combinaisons électrons-trous.Les électrons exédentaires sont aspirés par le champs électrique à travers la jonction collecteur-base. IC est donc un courant de fuite de la jonction collecteur-base (polarisée en inverse).
La notion de gain en courant sous-entend que l'on agira sur IB (entrée) pour recuellir la réaction de IC (sortie). Nous pouvons, sachant que IC = ß IB , représenter un transistor suivant les caractéristiques ci-dessous :

 

Caractéristiques d'ENTREE
Caractéristiques de SORTIE

Polarisation d'un transistor :
Rb = résistance de base
Rc = résistance de charge (lampe, relais..etc)

Il s'agit, afin d'établir la saturation du transistor, d'obtenir une tension entre collecteur-émetteur (Vce) s'approchant de 0V (en pratique 0,2V).Nous devons donc tenir compte de l'amplification du transistor choisi (son ß) .Pour calculer le courant collecteur (Ic) nous allons considérer un Vce = 0V (cas de saturation). Nous avons donc (à 0,2V près) que notre Ic = +VCC / Rc.
Pour connaître quel doit -être le courant de base nécéssaire à la saturation du transistor il nous suffit d'établir la relation :

Nous connaissons le courant qui traverse Rb, si nous cherchons la valeur de cette résistance il nous faut la tension à ses bornes ...Sachant que la jonction base-émetteur d'un transistor chute environ 0,7V, la tension sur Rb sera à 0,7V près (Vbe), la tension +VCC . Le calcul de Rb serait donc :
Rb = (+VCC - Vbe ) / Ib.